[发明专利]一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器在审
| 申请号： | 201910510270.X | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110379920A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 黄安平;高勤;胡琪 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器，其基本结构由下至上依次包括底电极层、氧化物层、顶电极层；其特征在于：所述氧化物层的功能是作为阻变功能层，包括第一氧化物层和第二氧化物层两层，第二氧化物层靠近底电极层一侧；所述的第二层氧化物层为多孔结构，为类熔洞分级多孔结构，且该多孔结构的多孔通道相互连通，在电场作用下可调控金属离子的输运；撤去外电场时，可存储金属离子。该氧化物忆阻器具有稳定，多阻态，低能耗的忆阻特性，为忆阻器忆阻机理的探究提供了新的路径，可提升忆阻器的电学性能，在人工突触的模拟方面表现出良好的特性，为神经形态计算提供了很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 忆阻器 多孔结构 熔洞 分级多孔氧化物 底电极层 金属离子 电场作用 电学性能 顶电极层 多孔通道 神经形态 低能耗 功能层 可存储 可调控 外电场 氧化物 分级 两层 输运 突触 阻态 连通 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器，其基本结构由下至上依次包括底电极层、氧化物层、顶电极层；其特征在于：所述氧化物层的功能是作为阻变功能层，包括第一氧化物层和第二氧化物层两层，第二氧化物层靠近底电极层一侧；所述的第二层氧化物层为多孔结构，为类熔洞分级多孔结构，且该多孔结构的多孔通道相互连通，在电场作用下可调控金属离子的输运；撤去外电场时，可存储金属离子。
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