[发明专利]一种硅基氮化铟太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910510331.2 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110265502A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基氮化铟太阳能电池及其制备方法，所述硅基氮化铟太阳能电池包括依次层叠设置的负电极层、电流扩散层、Si子电池、至少一个柱状p‑i‑n型InN子电池和正电极层，所述正电极层与所述Si子电池之间填充有绝缘材料以完全覆盖柱状p‑i‑n型InN子电池。相较于传统PN结构的氮化铟电池，本发明采用的p‑i‑n型氮化铟电池结构由于氮化铟的本质区域(i层)的增加和存在可以允许更有效的载流子产生，从而使得硅基氮化铟太阳能电池具有较好的转换效率，在太阳能电池领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铟 太阳能电池 子电池 硅基 正电极层 柱状 制备 太阳能电池领域 电流扩散层 载流子产生 本质区域 电池结构 负电极层 绝缘材料 依次层叠 转换效率 填充 电池 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基氮化铟太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠设置的负电极层、电流扩散层、Si子电池、至少一个柱状p‑i‑n型InN子电池和正电极层，所述正电极层与所述Si子电池之间填充有绝缘材料以完全覆盖柱状p‑i‑n型InN子电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
