[发明专利]固体摄像装置以及电子设备在审
| 申请号： | 201910510471.X | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110634894A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 前田英训;若野寿史;大竹悠介 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 崔迎宾;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种固体摄像装置以及电子设备，在SPAD光电二极管中，与远距离、近距离无关地正确捕捉被摄体。本发明的固体摄像装置(1000)具备：像素分离部(100)，针对每个像素划定光电转换区域(200)；第1半导体层(106)，设置于所述光电转换区域；以及第2半导体层(108)，在与所述第1半导体层之间施加用于电子倍增的电压，所述固体摄像装置构成为，多个所述像素的所述光电转换区域的灵敏度不同。通过该结构，在SPAD光电二极管中，能够与远距离、近距离无关地正确捕捉被摄体。 | ||
| 搜索关键词： | 固体摄像装置 光电转换区域 半导体层 光电二极管 被摄体 近距离 远距离 像素 捕捉 像素分离部 电子设备 灵敏度 倍增 施加 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置，其特征在于，/n所述固体摄像装置具备：/n像素分离部，针对每个像素划定光电转换区域；/n第1半导体层，设置于所述光电转换区域；以及/n第2半导体层，在与所述第1半导体层之间施加用于电子倍增的电压，/n所述固体摄像装置构成为，多个所述像素的所述光电转换区域的灵敏度不同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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