[发明专利]存储器元件的结构在审

专利信息
申请号: 201910510488.5 申请日: 2019-06-13
公开(公告)号: CN112086510A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 易亮;李志国;任驰;赵秋吉;杜文杰 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L27/11521
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种存储器元件的结构,其包括沟槽隔离线在基板中延伸在第一方向。有源区域在所述基板中且在相邻两个所述沟槽隔离线之间。介电层设置在所述有源区域上。浮置栅对应存储单元设置在所述介电层上,位于相邻两个所述沟槽隔离线之间。所述浮置栅有第一凸出部,由所述浮置栅的侧壁在所述第一方向往外延伸。第一绝缘层跨过所述浮置栅及所述沟槽隔离线。控制栅线设置在所述第一绝缘层上,在所述浮置栅上方,延伸于第二方向与所述第一方向交叉。所述控制栅线有第二凸出部,对应地叠置在所述浮置栅的第一凸出部的上方。
搜索关键词: 存储器 元件 结构
【主权项】:
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