[发明专利]一种基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器有效
| 申请号： | 201910510754.4 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110350284B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 卢志红;袁晓娟 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00;B81B1/00;H03B28/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吴楚 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于涡旋磁畴振荡的双层自旋转移力矩纳米柱振荡器，由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱的平面且经过自由层流经固定层。本发明提出了一种新型的纳米柱振荡器结构，通过固定层与自由层的相互作用，在直流电流下驱使自由层的磁矩振荡。从而简化了传统的STNO的三层结构，省略了隔离层，可以大大简化工艺制造流程。同时该模型可以轻松实现多个纳米柱之间的耦合振荡，提高纳米柱振荡器的振幅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 涡旋 振荡 双层 自旋 转移 力矩 纳米 振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种具有涡旋畴壁的双层自旋转移矩纳米柱振荡器，其特征在于：由叠加的固定层与自由层组成；所述固定层的磁矩方向与纳米柱所在平面垂直，自由层的磁矩方向与纳米柱所在平面平行，直流电流垂直于纳米柱的平面且经过自由层流经固定层。
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