[发明专利]DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法

摘要

本发明公开了一种DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法，根据变换器系统的噪声回路确定简化模型的基本结构；变换器工作时，节点N0的电压和电流产生的突变，使晶体管S成为噪声电压源Vn，在高频段，输入滤波电容Cin、输出滤波电容Cout视为短路，电感L视为开路。根据线缆和变换器的共模噪声回路的寄生电容及实际电路结构，建立合适的等效天线模型，使该模型与实际电路有相同容性耦合参数，从而达到利用该等效模型预测实际变换器系统远场辐射的目的。

主权项

1.一种DC/DC变换器系统远场辐射预测模型的建立方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，根据变换器系统的噪声回路确定简化模型的基本结构；步骤2，变换器工作时，节点N₀的电压和电流产生的突变，使晶体管S成为噪声电压源V_n，在高频段，输入滤波电容C_in、输出滤波电容C_out视为短路，电感L视为开路；共模电流的流通路径为：电流一通过寄生电容一C₁流入，在流经输入滤波电容C_in，电流二通过寄生电容二C₂流入，两个电流混合后流经晶体管S，使晶体管S成为噪声电压源V_n，之后通过寄生电容三C_CM流进地下；经过等效变换可得线缆与噪声源节点N₀之间的耦合电容为其中，C_cp为线缆与噪声源节点N₀之间的耦合电容；步骤3，共模电流的等效耦合路径为：噪声电压源V_n正极侧接寄生电容三C_CM、寄生电容三C_CM接地，噪声电压源V_n正极侧接复合电容C₃，复合电容C₃接地，复合电容C₃为寄生电容一C₁+寄生电容二C₂；步骤4，根据共模电流的等效耦合路径得到天线模型SAM，天线模型SAM采用上极板代表节点N₀；线缆依次将下极板、噪声电压源V_n、上极板相连，电容十C₁₀一端与上极板连接，另一端接地，电容三C₃一端与上极板连接，另一端接地，上极板半径r₁、下极板半径r₂、极板间距h，对上极板半径r₁、下极板半径r₂、极板间距h进行迭代计算，使电容十C₁₀与寄生电容三C_CM相等；对线缆长度、直径进行迭代计算使C₃与C₁+C₂的差值小于容差t。