[发明专利]一种串联式三轴一体化磁传感器有效
| 申请号： | 201910511808.9 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110286340B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡佳飞;杜青法;潘孟春;孙琨;潘龙;陈棣湘;张博;张欣苗;车玉路;李裴森;彭俊平;邱伟成 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种串联式三轴一体化磁传感器，包括绝缘基底、磁通聚集器、磁变轨单元、参考磁电阻和四个敏感磁电阻，磁通聚集器设于绝缘基底中心，磁变轨单元置于磁通聚集器上方，四个敏感磁电阻呈中心对称分布于绝缘基底上、且位于磁通聚集器上设置的凸出部的边缘，参考磁电阻位于绝缘基底的中心并处于磁通聚集器正下方的磁场屏蔽区域内，参考磁电阻和四个敏感磁电阻串联布置于串联式三轴一体化磁传感器的输入端I |
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| 搜索关键词： | 一种 串联式 一体化 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种串联式三轴一体化磁传感器，其特征在于：包括绝缘基底(1)、磁通聚集器(2)、磁变轨单元(3)、参考磁电阻(4)和四个敏感磁电阻(5)，所述磁通聚集器(2)设于绝缘基底(1)中心，所述磁变轨单元(3)置于磁通聚集器(2)上方，所述四个敏感磁电阻(5)呈中心对称分布于绝缘基底(1)上、且位于磁通聚集器(2)上设置的凸出部(21)的边缘，所述参考磁电阻(4)位于所述绝缘基底(1)的中心并处于磁通聚集器(2)正下方的磁场屏蔽区域内，所述参考磁电阻(4)和四个敏感磁电阻(5)串联布置于串联式三轴一体化磁传感器的输入端Iin和输出端Iout之间。
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