[发明专利]一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法在审
| 申请号： | 201910511822.9 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110176395A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军;张二雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 罗郁明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，包括以下步骤：A、提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层上形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成多晶栅极；B、对多晶栅极进行刻蚀，并刻蚀部分栅极氧化层；C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为4次进行，每次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入；D、做源区自对准注入；E、做体区和源区的一次性驱入扩散；F、做介质层淀积，并完成孔刻蚀；本发明缩短了器件制作周期、节省了制作程序、降低了器件的生产成本、解决了两次扩散造成器件浮动误差过大的问题，具有良好的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极氧化层 刻蚀 多晶栅极 浮动 衬底 体区 源区 顺时针旋转 扩散 掺杂离子 器件制作 市场应用 制作程序 硅晶片 介质层 一次性 注入体 自对准 淀积 制作 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层上形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成多晶栅极；B、对多晶栅极进行刻蚀，并刻蚀部分栅极氧化层；C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为4次进行，每一次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入；D、做源区自对准注入；E、做体区和源区的一次性驱入扩散；F、做介质层淀积，并完成孔刻蚀；G、完成P+注入，以及金属层结构的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市锐骏半导体股份有限公司，未经深圳市锐骏半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910511822.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种离子注入方法及实现其的离子注入机
- 下一篇：切断装置、切断方法及切断板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
