[发明专利]SE太阳能电池的碱刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201910511855.3 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110189992A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张益荣;邓雨微;王思云;鲍得友;马洁;罗飞 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，包括如下步骤：1）扩散；2）镭射掺杂；3）采用氧化液对硅片正面进行湿法氧化，使硅片正面生成一层氧化层；4）去除硅片背面PSG；5）碱刻蚀；6）去除硅片正面PSG；7）清洗烘干。本发明其在镭射掺杂之后、去除硅片背面PSG之前，在硅片正面生成一层氧化层，该氧化层可在碱刻蚀过程中保护激光开槽区域，避免激光开槽区域被碱刻蚀液腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片正面 氧化层 去除 太阳能电池 硅片背面 激光开槽 刻蚀工艺 镭射掺杂 刻蚀过程 清洗烘干 湿法氧化 刻蚀液 氧化液 刻蚀 腐蚀 扩散 | ||
【主权项】：
1.SE太阳能电池的碱刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）扩散；2）镭射掺杂；3）采用氧化液对硅片正面进行湿法氧化，使硅片正面生成一层氧化层；4）去除硅片背面PSG；5）碱刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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