[发明专利]发光二极管的承载结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910514124.4 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610893B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吴炳昇;吴昭文;翁俊仁 | 申请（专利权）人： | 启端光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;刘琰 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的承载结构及其制造方法，其包括承载基板、黏附层以及牺牲结构。黏附层设置于承载基板上。牺牲结构设置于黏附层上，并包括支撑柱以及截断层，截断层设置于支撑柱上。其中，牺牲结构的结构强度足以承载发光二极管，且当外力施加于发光二极管或承载基板时，截断层为最先被破坏的层，而使发光二极管与承载基板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 承载 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的承载结构，其特征在于，包括：/n承载基板；/n黏附层，设置于所述的承载基板上；以及/n牺牲结构，设置于所述的黏附层上，并包括支撑柱以及截断层，所述的截断层设置于所述的支撑柱上；/n其中，所述的牺牲结构的结构强度足以承载发光二极管，且当外力施加于所述的发光二极管或所述的承载基板时，所述的截断层为最先被破坏的层，而使所述的发光二极管与所述的承载基板分离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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