[发明专利]一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法有效
| 申请号： | 201910515306.3 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110240126B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 马飞;孙军;刘帅 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法，该二硒化锡为片层堆叠的花状结构，从该花状结构的微观图可以看出，每一个片层上都产生微小其他片层，使得形成的花状结构的比表面积较大；该纳米花结构的二硒化锡的制备方法过程简单，使用的原材料和溶剂无污染，通过原材料的选择，溶剂的选用，使得制备出的花状的二硒化锡的纯度高，尺寸均匀，形状一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 二硒化锡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米花结构的二硒化锡，其特征在于，所述纳米花结构的二硒化锡由多个片层螺旋堆叠组成，每一个片层由晶体螺旋堆叠生长形成；多个片层螺旋堆叠形成的二硒化锡的直径为1～2μm，每一个片层厚度为5～10nm。
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