[发明专利]基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构在审
| 申请号： | 201910516722.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610987A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 都桢湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构，其包括竖直场效应晶体管，竖直场效应晶体管具有：用作竖直沟道的至少两个鳍；栅极，其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分；以及顶部源极/漏极，其包括第一鳍上的第一顶部源极/漏极部分和第二鳍上的第二顶部源极/漏极部分。单元架构还包括：栅极接触结构，其连接至第三栅极部分；顶部源极/漏极接触结构，其连接至第一顶部源极/漏极部分和第二顶部源极/漏极部分中的一个，并且用作水平导电布线层；以及金属图案，其位于栅极接触结构和顶部源极/漏极接触结构上，并且通过过孔连接至它们，并且用作竖直导电布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 竖直 单元架构 场效应晶体管 导电布线层 接触结构 栅极接触 金属图案 沟道 | ||
【主权项】：
1.一种单元架构，包括：/n竖直场效应晶体管，其包括：/n从衬底突出的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍和所述第二鳍在第一方向上彼此间隔开并且在与所述第一方向交叉的第二方向上伸长，/n栅极，其包括所述第一鳍的侧壁上的第一栅极部分、所述第二鳍的侧壁上的第二栅极部分、以及将所述第一栅极部分与所述第二栅极部分连接的第三栅极部分，以及/n顶部源极/漏极,其包括所述第一鳍的顶部处的第一顶部源极/漏极部分和所述第二鳍的顶部处的第二顶部源极/漏极部分；/n栅极接触结构，所述栅极接触结构在平面图中观察时在所述第二方向上与所述第一鳍和所述第二鳍间隔开，所述栅极接触结构连接至所述第三栅极部分；/n顶部源极/漏极接触结构，其连接至所述第一顶部源极/漏极部分和所述第二顶部源极/漏极部分中的一个，所述顶部源极/漏极接触结构和所述栅极接触结构中的至少一个用作所述第一方向上的第一导电布线层；以及/n金属图案，其位于所述栅极接触结构和所述顶部源极/漏极接触结构上，所述金属图案构造为分别通过过孔连接至所述栅极接触结构和所述顶部源极/漏极接触结构中的至少一个，所述金属图案用作所述第二方向上的第二导电布线层。/n
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