[发明专利]穿硅通孔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910516758.3 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111199932B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 康庭慈 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李南山;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种穿硅通孔(through silicon via，TSV)结构及其制造方法。该穿硅通孔结构包括一半导体基底、一成形膜、一导电线、一阻障层以及一绝缘层。该成形膜设置在该半导体基底的一背表面的上方，经配置以保持该半导体基底的平面状的形成。该导电线穿过该成形膜并设置在该半导体基底中。该阻障层围绕该导电线，该绝缘层围绕该阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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