[发明专利]一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910516845.9 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110190134B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘潮锋;唐新桂 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于电子设备的技术领域，尤其涉及一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法。本发明提供了一种非晶氧化物薄膜器件，以玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片上物理气相沉积Hf靶材得到HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶氧化物薄膜器件，其特征在于，以玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片上物理气相沉积Hf靶材得到HfO2薄膜，形成产品1，将所述产品在500‑600℃条件下退火，形成产品2，在所述产品2的HfO2薄膜的表面及没有沉积HfO2薄膜的玻璃基片镀电极。
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