[发明专利]一种微量Sn掺杂的钙钛矿膜修复制备方法及全无机钙钛矿太阳能电池有效
申请号: | 201910517303.3 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110176523B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 诸跃进;郭海燕;裴越 | 申请(专利权)人: | 宁波大学科学技术学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少华 |
地址: | 315201 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种微量Sn掺杂的钙钛矿膜修复制备方法及全无机钙钛矿太阳能电池,包括如下步骤,将卤化锡和卤化铅溶解至DMF溶液中,形成基底溶液;将基底溶液旋涂至衬底表面,并对衬底表面的基底溶液干燥,以使得衬底表面形成基底层;将卤化铯溶解至DMSO中形成修饰溶液,将修饰溶液多次旋涂至基底层上,每次旋涂完成后加热,修饰溶液与基底层逐渐反应形成全无机钙钛矿层。卤化锡对原有的卤化铅形成的膜起到破坏作用,使得基底层变为疏松多孔的结构,更加利于后期卤化铯和卤化铅的反应,增加了卤化铯和卤化铅之间的反应面积,卤化铯反应后逐渐填补了孔隙之中,得到的全无机钙钛矿层具备更加少的针孔,表现出更为优异的电荷提取能力以及电荷传输能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 微量 sn 掺杂 钙钛矿膜 修复 制备 方法 无机 钙钛矿 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种微量Sn掺杂的钙钛矿膜修复制备方法,其特征在于:包括如下步骤,步骤①:将卤化锡和卤化铅溶解至DMF溶液中,形成基底溶液;步骤②:将基底溶液旋涂至衬底表面,并对衬底表面的基底溶液干燥,以使得衬底表面形成基底层;步骤③:将卤化铯溶解至DMSO中形成修饰溶液,将修饰溶液多次旋涂至基底层上,每次旋涂完成后加热,修饰溶液与基底层逐渐反应形成全无机钙钛矿层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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