[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910519120.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110223952A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，包括：利用高深宽比工艺形成氧化硅层于一衬底的隔离沟槽中，所述氧化硅层可能在一设定深度范围内具有一孔隙缺陷；然后在所述氧化硅层的所述设定深度范围内注入硅离子；对所述氧化硅层执行高温湿法氧化工艺，以使注入的硅离子被氧化为氧化硅；对所述氧化硅层执行高温退火工艺，氧化形成的氧化硅可以修复所述氧化硅层中的孔隙缺陷，从而有效的提高了浅沟槽隔离结构的隔离性能，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 浅沟槽隔离结构 半导体器件 孔隙缺陷 硅离子 氧化硅 高深宽比 高温湿法 高温退火 隔离沟槽 隔离性能 氧化工艺 衬底 修复 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有至少一个隔离沟槽；利用高深宽比工艺形成氧化硅层于所述隔离沟槽中；在所述氧化硅层的一设定深度范围内注入硅离子；对所述氧化硅层执行高温湿法氧化工艺，以使注入的硅离子被氧化为氧化硅；对所述氧化硅层执行高温退火工艺，以使氧化形成的氧化硅修复所述氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910519120.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体结构的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
