[发明专利]二维磁性半导体材料MnIn2Se4的制备方法及在光探测器和场效应晶体管的应用在审
| 申请号： | 201910519508.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110257916A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨珏晗;魏钟鸣;沈国震;邓惠雄;娄正;文宏玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00;H01L29/24;H01L31/032 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种锰铟硒晶体、其制备方法、二维磁性半导体材料、光探测器及场效应晶体管，该锰铟硒晶体的制备方法，包括将锰粉、铟粒、硒粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到锰铟硒晶体。本发明的二维磁性半导体材料具有对于可见光的优异光响应性质，同时在温度为2K时表现出铁磁性；锰铟硒晶体采用高温管式炉制备，晶体结晶质量高，可实现大规模制备，对环境无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 铟硒 半导体材料 二维磁性 场效应晶体管 光探测器 得到混合物 高温管式炉 环境无污染 混合物真空 可见光 加热设备 晶体结晶 光响应 晶体的 铁磁性 放入 锰粉 硒粉 铟粒 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种锰铟硒晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将锰粉、铟粒、硒粉混合，得到混合物；(2)将步骤(1)得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到锰铟硒晶体。
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