[发明专利]半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管有效
| 申请号： | 201910519723.5 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112103374B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 朱赫;赵宇;吴启花;黄勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L25/075;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管，半导体发光单元包括依序叠层的空穴势垒层、有源层和电子势垒层，空穴势垒层和电子势垒层的有效带宽分别大于有源层的有效带宽，空穴势垒层和有源层的导带相互平齐且价带形成势差，电子势垒层和有源层的价带相互平齐且导带形成势差。级联型中红外光发光二极管包括上述的半导体发光单元。本发明解决了现有半导体发光单元的有源区域缺乏异质结限制，影响其量子效率和输出功率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 单元 级联 红外光 发光二极管 | ||
【主权项】：
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