[发明专利]一种用于硅基AMOLED驱动芯片的像素电路有效
申请号: | 201910519769.7 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110148381B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 秦昌兵;张白雪;陈启宏;杨建兵 | 申请(专利权)人: | 南京国兆光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 瞿网兰;徐冬涛 |
地址: | 211100 江苏省南京市江宁开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种用于硅基AMOLED驱动芯片的像素电路,其特征是它包括驱动管MN2、开关管MN1、开关管MP2、存储电容C2,开关管MP2为P型MOS管,驱动管MN2和开关管MN1均为N型MOS管,开关管MP2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连,开关管MP2的源极、驱动管MN2的栅极、开关管MN1的漏极均与电容C2的一端相连,开关管MN1的源极与地GND相连,开关管MN1的栅极与外接控制信号SEL1相连;开关管MP2的栅极与行选控制信号SEL2相连;电压源Vdata负向端、电容C2的另一端与地GND相连;驱动管MN2的漏极与电压VDD相连,驱动管MN2的源极与OLED阳极相连,OLED的阴极与Vcom电压相连。本发明采用开关管实现调亮,结构简单,能够节省面积、可调范围大。 | ||
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【主权项】:
1.一种用于硅基AMOLED驱动芯片的像素电路,其特征是它包括驱动管MN2、开关管MN1、开关管MP2、存储电容C2,开关管MP2为P型MOS管,驱动管MN2和开关管MN1均为N型MOS管,开关管MP2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连,开关管MP2的源极、驱动管MN2的栅极、开关管MN1的漏极均与电容C2的一端相连,开关管MN1的源极与地GND相连,开关管MN1的栅极与外接控制信号SEL1相连;开关管MP2的栅极与行选控制信号SEL2相连;电压源Vdata负向端、电容C2的另一端与地GND相连;驱动管MN2的漏极与电压VDD相连,驱动管MN2的源极与OLED阳极相连,OLED的阴极与Vcom电压相连。
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