[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物有效

专利信息
申请号: 201910520688.9 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110628435B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 金东铉;朴贤宇;李斗元;曺长佑;李明镐;宋明根 申请(专利权)人: 易案爱富科技有限公司
主分类号: C09K13/06 分类号: C09K13/06;H01L21/311
代理公司: 北京市中伦律师事务所 11410 代理人: 杨黎峰;赵瑞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物,更具体而言,通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物,相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜,其蚀刻选择比显著,在用于蚀刻工序和半导体制造工序时,可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。
搜索关键词: 氮化 蚀刻 组合
【主权项】:
1.一种氮化硅膜蚀刻组合物,其包含磷酸、下述化学式1的第一硅系化合物、下述化学式2的第二硅系化合物和水,/n[化学式1]/n
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