[发明专利]存储器件、生成参考电流的参考电路和方法有效
| 申请号： | 201910522259.5 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110619901B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李嘉富;林弘璋;李伯浩;林谷峰;史毅骏;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于生成参考电流的参考电路包括多个电阻元件，多个电阻元件包括至少一个磁隧道结(MTJ)。控制电路连接至至少一个MTJ的第一端子，并且被配置为选择性地使电流在正向和反向方向上流过至少一个MTJ以生成参考电流。本发明的实施例还涉及存储器件、生成参考电流的参考电路和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 生成 参考 电流 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生成参考电流的参考电路，包括：/n多个电阻元件，包括至少一个磁隧道结(MTJ)；/n控制电路，连接至所述至少一个磁隧道结的第一端子并且被配置为选择性地使电流在正向方向和反向方向上流过所述至少一个磁隧道结以生成参考电流；/n源极线，连接至所述控制电路；以及/n位线，连接至所述至少一个磁隧道结的第二端子并且被配置为将所述参考电流提供给感测放大器。/n
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