[发明专利]存储器器件有效
| 申请号： | 201910523220.5 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110620174B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘国安;吴忠政;庄学理;张广兴;江典蔚;吴志强;陈家庠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L23/552;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器器件，包括：/n芯片，所述芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元；/n磁场屏蔽结构，包括至少部分地围绕所述芯片的导电或磁性材料，其中，所述磁场屏蔽结构包括横向围绕所述芯片的侧壁区、从所述侧壁区向上延伸的上部区以及从所述侧壁区向下延伸的下部区；以及/n其中，所述上部区和/或所述下部区的至少一个终止于所述芯片上方的开口。/n
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