[发明专利]一种SIP封装的屏蔽工艺在审

专利信息
申请号: 201910523418.3 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110335862A 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 郭峻诚;田德文;宋青林 申请(专利权)人: 青岛歌尔微电子研究院有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 王昭智
地址: 266061 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种SIP封装的屏蔽工艺:提供电路板;切割覆盖层,以形成将不同SIP封装模块分隔开的半切割道,以及形成在单个SIP封装模块中的沟槽;形成金属覆层,位于SIP封装模块外表面及半切割道位置的金属覆层构成共形屏蔽;位于沟槽位置的金属覆层构成区域屏蔽;切割半切割道得到多个独立的SIP封装模组。本发明的工艺,可以同时形成共形屏蔽和区域屏蔽,且共形屏蔽、区域屏蔽在相同的工序完成,使用相同的材料。本发明的屏蔽工艺可以连续、大批量的制作,提高了制造的效率,降低了生产的成本,同时降低了毛边的问题。
搜索关键词: 屏蔽 封装模块 金属覆层 区域屏蔽 半切割 共形 封装 切割 电路板 封装模组 沟槽位置 覆盖层 分隔 毛边 制作 制造 生产
【主权项】:
1.一种SIP封装的屏蔽工艺,其特征在于,包括以下步骤:提供电路板,在电路板上排布有多个SIP封装模块,所述多个SIP封装模块通过同一覆盖层封装;切割所述覆盖层,以形成将不同SIP封装模块分隔开的半切割道,以及形成在单个SIP封装模块中的沟槽;在SIP封装模块裸露的表面形成金属覆层;位于SIP封装模块外表面及半切割道位置的金属覆层构成共形屏蔽;位于沟槽位置的金属覆层构成区域屏蔽;切割所述半切割道,得到多个彼此独立的SIP封装模组。
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