[发明专利]玻璃晶片抛光方法在审
| 申请号： | 201910524678.2 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110238707A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 牟光远;杨超平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶特光学科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24D11/00;B24D11/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王娜 |
| 地址： | 317700 浙江省台州市椒*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种玻璃晶片抛光方法，涉及晶片加工技术领域，本发明提供的玻璃晶片抛光方法，包括如下步骤：采用包含氧化铈颗粒物的初抛光介质进行初抛光；采用设有孔隙的阻尼布，并使阻尼布涂覆包含二氧化硅颗粒物的精抛光介质进行精抛光，本发明提供的玻璃晶片抛光方法缓解了现有技术中晶片抛光表面粗糙度的均一性较差的技术问题，可以降低二氧化硅颗粒物因磨损产生的粒度变化，从而有利于降低晶片表面粗糙度的算数平均值和晶片表面粗糙度的均方根值。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃晶片 抛光 颗粒物 二氧化硅 晶片表面 初抛光 粗糙度 精抛光 表面粗糙度 晶片加工 晶片抛光 粒度变化 均方根 均一性 氧化铈 布涂 磨损 算数 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃晶片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：采用包含氧化铈颗粒物的初抛光介质对晶片进行初抛光；采用设有孔隙的阻尼布，并使阻尼布涂覆包含二氧化硅颗粒物的精抛光介质对所述晶片进行精抛光。
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