[发明专利]增强微元胞结构IGBT短路能力的方法有效
| 申请号： | 201910525348.5 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110265300B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;刘鹏飞;刘杰;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。在发生短路的时候，本方法可以有效限制短路电流的大小，增强芯片短路耐受的能力，避免芯片的意外损坏，提高芯片的鲁棒性，在不影响微元胞结构IGBT开通和关断损耗的情况下，减小短路电流，提高芯片的短路耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 微元胞 结构 igbt 短路 能力 方法 | ||
【主权项】：
1.增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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