[发明专利]一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源有效
| 申请号： | 201910525464.7 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110416862B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐新龙;姚泽瀚;张隆辉;黄媛媛;朱礼鹏;杜婉怡 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷;赵中霞 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜与三维半导体材料所构成的范德瓦尔斯异质结、泵浦光源和电极；本发明通过使用二维材料薄膜如石墨烯或过渡金属硫族化合物与三维半导体材料构建范德瓦尔斯异质结，以增强半导体材料中的太赫兹辐射；本发明通过构建范德瓦尔斯异质结，在偏压的作用下有效提高了三维半导体表界面的太赫兹波产生强度，在未来集成化、一体化的太赫兹系统中有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 瓦尔 斯异质结 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】：
1.一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，包括二维材料薄膜、三维半导体材料、泵浦光源和电极；所述三维半导体材料层上设置二维材料薄膜构成范德瓦尔斯异质结；在电极形成的偏压作用下，泵浦光源激发所述范德瓦尔斯异质结界面辐射太赫兹波。
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