[发明专利]一种半导体晶体生长装置有效
| 申请号： | 201910527728.2 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112095154B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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