[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910527843.X | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110634864A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 内田慎一;中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/522;H01L23/66;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，半导体衬底包括块体层、设置在块体层上的至少一部分区域中的掩埋氧化物层、以及掩埋氧化物层上的表面单晶层。电感器设置在半导体衬底的主表面侧上方，表面单晶层布置在半导体衬底的主表面侧。为了增大电感器的Q值，接地屏蔽是在电感器下方和掩埋氧化物层下方的块体层中形成的杂质区域。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋氧化物层 电感器 块体层 衬底 半导体 半导体器件 单晶层 主表面 接地屏蔽 杂质区域 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底，包括块体层；/n掩埋氧化物层，设置在所述块体层上；/n电感器，设置在所述半导体衬底的主表面侧上方；以及/n第一接地屏蔽，所述第一接地屏蔽是在所述电感器下方和所述掩埋氧化物层下方的所述块体层中形成的杂质区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
