[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910529268.7 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739307A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 河承锡;朴敬美;宋炫昇;千健龙;河大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 方向纵向 栅电极 隔离层 延伸 相交 氧化物半导体 半导体器件 横切 平行 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，包括：所述衬底的N型金属氧化物半导体NMOS区中的第一鳍图案和第二鳍图案，所述第一鳍图案和所述第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及所述衬底的P型金属氧化物半导体PMOS区中的第三鳍图案和第四鳍图案，所述第三鳍图案和所述第四鳍图案均与所述第一鳍图案和所述第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿所述第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开；/n所述第一沟槽中的第一隔离层；/n所述第二沟槽中的第二隔离层；/n第一栅电极，沿横切所述第一方向的第二方向纵向延伸并与所述第一鳍图案相交；/n第二栅电极，沿所述第二方向纵向延伸并与所述第二鳍图案相交；/n第三栅电极，在所述第二隔离层上沿所述第二方向纵向延伸；以及/n第四栅电极，在所述第二隔离层上沿所述第二方向纵向延伸，并与所述第三栅电极间隔开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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