[发明专利]一种提高套刻精度的对准标识设计方法有效
申请号: | 201910529975.6 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110187615B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 赖璐璐;钱睿 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F1/42 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种提高套刻精度的对准标识设计方法,包括:前一层光刻层的对准标识放置于第一位置;当层曝光时,将对准标识放置于第二位置,同时将第一位置曝开,之后将曝开的第一位置填充金属;第三层曝光时,将对准标识放回所述第一位置,同时将第二位置曝开,之后将曝开的第二位置填充金属;后续层曝光时的对准标识位置设计依次类推。本发明的对准标识的位置摆放及前后层堆叠的设计可以有效减少对准标识的摆放空间,同时使对准标识底层薄膜更加稳定,因此可以提高套刻精度的稳定性,有利于日常跑货的维护及套刻精度的提高。此外,本发明的对准标识设计还有利于对套刻精度进行预测,节省新产品试跑时间,提高生产能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 精度 对准 标识 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高套刻精度的对准标识设计方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:步骤一、前一层光刻层的对准标识放置于第一位置;步骤二、当层曝光时,将所述对准标识放置于第二位置,同时将所述第一位置曝开,之后将曝开的所述第一位置填充金属;步骤三、第三层曝光时,将所述对准标识放回所述第一位置,同时将所述第二位置曝开,之后将曝开的所述第二位置填充金属;步骤四、后续层曝光时的所述对准标识位置设计依照步骤一至步骤三依次类推。
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