[发明专利]一种二硫化钼催化膜及其制备和应用有效
| 申请号： | 201910530418.6 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110180564B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张弓;陈瑀;吉庆华;刘会娟;曲久辉 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J35/02;B01J35/06;C02F1/72;C02F1/50 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘凯强;张奎燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种二硫化钼催化膜，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；垂直生长的二硫化钼厚度为5～8nm，边缘长度200～800nm，阵列生长密度为32～45个/μm |
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| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 催化 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼催化膜，其中，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；所述二硫化钼阵列的基本组成单元为二硫化钼纳米片；所述二硫化钼纳米片的厚度为5～8nm，二硫化钼纳米片的边缘长度为200～800nm，所述二硫化钼阵列的阵列生长密度为32～45个二硫化钼纳米片/μm2。
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