[发明专利]三维存储器件及三维存储器件的制作方法

摘要

本申请实施例公开了一种三维存储器件及三维存储器件的制造方法，该三维存储器件包括：衬底；堆叠层，位于衬底上方；第一刻蚀孔，按照第一密度分布于堆叠层的第一区域内；其中，第一刻蚀孔，用于形成存储阵列的存储晶体管；第一区域包括：第一子区域和第二子区域；第二刻蚀孔，按照第二密度分布于堆叠层的第二区域内；其中，第二密度不同于第一密度；第二区域包括：第三子区域和第四子区域；第二子区域与第三子区域相邻；至少一条刻蚀槽，由堆叠层的顶部向衬底方向延伸；其中，至少一条刻蚀槽在第二子区域和第三子区域的范围内具有第一宽度；至少一条刻蚀槽在第一子区域和第四子区域内具有第二宽度；第一宽度小于第二宽度。