[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201910531975.X | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110265518B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件。发光器件包括n型半导体层、p型半导体层、设置在n型半导体层与p型半导体层之间的有源层以及设置在p型半导体层与有源层之间的电子阻挡层。p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层以及设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括具有彼此不同的掺杂剂浓度的未掺杂层和中间掺杂层。未掺杂层包括在其中空穴浓度随着与空穴注入层或者p型接触层的距离的增加而降低的区域，并且空穴传输层具有比空穴注入层和p型接触层的总厚度大的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，所述发光器件包含：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其设置在所述p型半导体层与所述有源层之间，其中：所述p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层和设置在所述空穴注入层与所述p型接触层之间的空穴传输层，所述空穴传输层包括具有彼此不同的掺杂剂浓度的未掺杂层和中间掺杂层，所述未掺杂层包括在其中空穴浓度随着与所述空穴注入层或者所述p型接触层的距离的增加而降低的区域，以及所述空穴传输层具有比所述空穴注入层和所述p型接触层的总厚度大的厚度。
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