[发明专利]一种键合结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910532042.2 申请日: 2019-06-19
公开(公告)号: CN110189985B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 曾甜 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/603;H01L23/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 党丽
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请提供一种键合结构及其制造方法中,在进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合时,可以从第n片晶圆的键合面进行第一边缘修整,第一边缘修整的宽度为Wn,随着n的增大,第一边缘修整宽度可以逐渐增大,这是因为在晶圆边缘部位,通常不够平整,导致晶圆在键合时存在缝隙,在对晶圆进行边缘修整后,可以去除第n片晶圆的边缘处不平整的部分,将第n片晶圆的键合面朝向第n‑1片晶圆的键合面,进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合,降低晶圆键合界面之间存在缝隙的可能,提高晶圆间的键合强度,再进行第n片晶圆衬底的减薄,以形成第n‑1晶圆堆叠,由于相邻晶圆之间的键合强度较大,因此形成的晶圆堆叠的可靠性较高,裂片的风险较低。
搜索关键词: 一种 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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