[发明专利]晶格失配的多结太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201910532221.6 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110233187B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吴真龙;李俊承;何胜;吴志明 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0216;H01L31/036;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶格失配的多结太阳能电池结构，包括：衬底，至少一结与衬底的晶格常数失配的晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；所述隧穿结包括：P型掺杂功能层和N型掺杂功能层；其中，所述P型掺杂功能层为掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层。本发明采用掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层，代替现有技术中掺杂C的p型(Al)InGaAs层，作为晶格失配太阳能电池的隧穿结结构的P型掺杂功能层。由于P型层中并不含有In组分，从而可以有效避免p型层因为C的掺杂反应源卤素气体抑制In组分并入，而导致的与太阳能电池中的体材料InGaAs晶格失配的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 失配 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，包括：衬底；至少一结与所述衬底的晶格常数失配的晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；所述隧穿结包括：P型掺杂功能层和N型掺杂功能层；其中，所述P型掺杂功能层为掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层；所述N型掺杂功能层为N型InGaAs层、N型AlInGaAs层、N型GaInP层或N型AlGaInP层，掺杂杂质为Si或者Te；且，所述P型掺杂功能层和N型掺杂功能层的晶格常数与所述晶格失配子电池的晶格常数匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
