[发明专利]整流二极管在审
| 申请号： | 201910532271.4 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110148633A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 何飞 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所公开的一种整流二极管，包括N+衬底层、叠加在N+衬底层上的N‑漂移层和掺杂在N‑漂移层上的P型沟道层，P型沟道层上通过掺杂若干个N+电荷隔离存储层后在N+电荷隔离存储层下方形成电荷存储区。其通过在P型沟道层中掺杂N+电荷隔离存储层，来改善二极管的反向恢复特性，并且解决了在RCD吸收电路使用工作时温度上升较高，干扰其它电路运行的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷隔离 存储层 整流二极管 掺杂 衬底层 漂移层 反向恢复特性 电荷存储区 二极管 电路运行 叠加 | ||
【主权项】：
1.一种整流二极管，包括N+衬底层、叠加在N+衬底层上的N‑漂移层和掺杂在N‑漂移层上的P型沟道层，其特征在于，P型沟道层上掺杂若干个N+电荷隔离存储层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡光磊电子科技有限公司，未经无锡光磊电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910532271.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种巨介电薄膜晶体管
- 下一篇：防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构
- 同类专利
- 专利分类
