[发明专利]一种用于基板干燥的流体供给装置和基板干燥设备在审
申请号: | 201910532275.2 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110429046A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 李长坤;赵德文;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B21/14 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 向森 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域,公开了一种用于基板干燥的流体供给装置和基板干燥设备,其中,流体供给装置包括存储主体、第一管路和第二管路,第一管路和第二管路分别与存储主体连通,第一管路和第二管路在存储主体外部通过加热管路连通;第一管路用于供给第一流体,第一流体的一部分流至存储主体内,第一流体的另一部分分流至加热管路加热后汇入第二管路并在第二管路中与存储主体内压出的第二流体混合后得以输出。提高了基板干燥的效果。 | ||
搜索关键词: | 存储主体 流体供给装置 第一流体 基板 基板干燥设备 加热管路 连通 化学机械抛光 后处理 第二流体 内压 加热 分流 输出 外部 | ||
【主权项】:
1.一种用于基板干燥的流体供给装置,包括存储主体、第一管路和第二管路,所述第一管路和所述第二管路分别与所述存储主体连通,并且所述第一管路和所述第二管路在所述存储主体外部通过加热管路连通;所述第一管路用于供给第一流体,所述第一流体的一部分流至所述存储主体内,所述第一流体的另一部分分流至所述加热管路加热后汇入所述第二管路并在所述第二管路中与所述存储主体内压出的第二流体混合后得以输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910532275.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造