[发明专利]一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法，包括以下步骤：将OA、ODE和PbO粉末加入到三颈烧瓶内，然后将氮气注入到三颈烧瓶内，彻底去除空气；加热三颈烧瓶，直到PbO粉末完全消失，混合溶液变成无色；将含有Se粉末的Se‑TOP溶液加入到三颈烧瓶内，加热三颈烧瓶，得到PbSe QDs颗粒；将甲苯加入到三颈烧瓶内，将三颈烧瓶浸没在室温水浴中，以完全淬灭反应；PbSe QDs样品使用甲醇和乙烷沉淀再分散，纯化PbSe QDs样品，然后将纯化的PbSe QDs样品再分散在四氯乙烯中；通过注射器将PbSe QDs溶液注入到空心半球中，然后密封空心半球，将含有PbSe QDs溶液的空心半球放置在GaN芯片上。本发明制备的近红外发光二极管具有简单制造、窄带、尺寸小和易调谐的特点。

主权项

1.一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将适量的OA、ODE和PbO粉末加入到三颈烧瓶内，然后将氮气注入到三颈烧瓶内，彻底去除三颈烧瓶内部的空气；步骤二：将三颈烧瓶加热至150℃～190℃，直到PbO粉末完全消失，三颈烧瓶内的混合溶液变成无色；步骤三：将适量的含有Se粉末的Se‑TOP溶液加入到三颈烧瓶内，在130℃～150℃的条件下加热三颈烧瓶，加热时间为2～10分钟,得到不同直径的PbSe QDs颗粒；步骤四：将适量的甲苯加入到三颈烧瓶内，然后将三颈烧瓶浸没在室温的水浴中，以完全淬灭反应；步骤五：PbSe QDs样品使用甲醇和乙烷沉淀再分散，进而纯化PbSe QDs样品，然后将纯化的PbSe QDs样品再分散在四氯乙烯中，用于测试光谱表征和LED制造；步骤六：通过注射器将PbSe QDs溶液注入到空心半球中，注射完成后，密封空心半球，然后将含有PbSe QDs溶液的空心半球放置在蓝色的GaN芯片上。