[发明专利]一种铌锰掺杂抗还原型电介质材料的制备方法在审
申请号: | 201910533554.0 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110256067A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 李玲霞;张凯;王文波;王梦龙;王瑞杰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种铌锰掺杂抗还原型电介质材料的制备方法,先按摩尔比BaTiO3:Nb2O5:MnO2=100:0.5:2进行配料,经球磨、烘干、过筛、造粒后压制成坯体,坯体经排胶后在还原气氛中于1300~1350℃烧结,保温2.5h,制成钛酸钡基高绝缘铌锰掺杂抗还原型电介质材料。本发明通过调节烧结温度,使得材料性能达到了介电常数ε25℃~2434,介电损耗tanσ~0.0064,绝缘电阻率ρν~9.48×1011Ω·cm。 | ||
搜索关键词: | 电介质材料 还原型 铌锰 掺杂 烧结 制备 介电常数ε 绝缘电阻率 材料性能 还原气氛 介电损耗 钛酸钡基 成坯体 高绝缘 烘干 过筛 排胶 坯体 球磨 造粒 保温 按摩 压制 | ||
【主权项】:
1.一种铌锰掺杂抗还原型电介质材料的制备方法,具体步骤如下:(1)按摩尔比BaTiO3:Nb2O5:MnO2=100:0.5:2进行配料,在去离子水中混合球磨4小时后于120℃烘干,并过40目分样筛;(2)造粒:将步骤(1)过筛后的粉料,添加7wt%石蜡作为粘结剂,过80目筛进行造粒,再用粉末压片机压制成坯体;(3)排胶:将制备好的坯体进行排胶;(4)烧结:将排胶后的胚体置于还原气氛炉,通入50sccmN2,烧结温度为1300~1350℃,保温2.5h,制成钛酸钡基高绝缘铌锰掺杂抗还原型电介质材料。
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