[发明专利]一种3d打印SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201910534269.0 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110204348A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;毛帮笑;黄海泉;王兴邦;贺韬 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/81 | 分类号： | C04B35/81;C04B35/80;B33Y70/00;B33Y50/00;B33Y10/00;C04B38/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3d打印SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)利用短碳纤维、SiC晶须、聚碳硅烷得到选区激光烧结所需的均匀复合粉体；(2)采用选区激光烧结技术制备多孔陶瓷预制体；(3)将得到的多孔陶瓷预制体高温热处理得到SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷。本发明工艺简单且降低了生产成本、可快速制备形状复杂的构件；此外，本发明可得到高强度、SiC晶须与孔隙分布均匀的SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔陶瓷 晶须增强 制备 多孔陶瓷预制体 晶须 打印 选区激光烧结技术 选区激光烧结 高温热处理 短碳纤维 聚碳硅烷 均匀复合 孔隙分布 快速制备 形状复杂 粉体 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种3d打印SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将短碳纤维、SiC晶须、聚碳硅烷按照体积比(35％‑50％)∶(5％‑10％)∶(40％‑55％)分别溶解于二甲苯溶液中，超声分散1h使短碳纤维、SiC晶须、聚碳硅烷均匀分布，于135℃马弗炉中加热8h后研磨得到选区激光烧结所需的均匀复合粉体；(2)构建多孔陶瓷预制体的三维立体模型，将三维模型数据转换为STL格式文件，然后导入3D打印机中进行分层处理并构建分层模型；(3)将复合粉体置于粉末缸中，由3d打印机的铺粉系统根据(2)中的分层模型在成型缸中均匀铺上一层粉末，计算机根据多孔陶瓷预制体的切片模型控制激光束的扫描轨迹，选择性地烧结形成预制体的一个层面，如此循环往复、层层叠加最终制备多孔陶瓷预制体；(4)将(3)得到的多孔陶瓷预制体放置于高温管式炉主温区，先以1‑2℃/min升至800℃，然后以1℃/min升至1200‑1250℃，于氩气氛围中保温1‑3h，随炉冷却至室温得到SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷。
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