[发明专利]一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法及结构有效
| 申请号： | 201910534586.2 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110246753B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李仕强;王东盛;李亦衡;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为In和/或Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明在生长p型GaN时引入活化剂，使得在提升p型GaN掺杂浓度的同时又能保证p型GaN的质量不受影响，可以获得掺杂浓度至少为2e |
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| 搜索关键词： | 一种 提升 gan 掺杂 浓度 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，其特征在于：在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为In和/或Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。
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