[发明专利]一种倒装发光二极管及其制造方法在审
申请号: | 201910535183.X | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110212062A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 吴永军;刘亚柱;唐军;齐胜利 | 申请(专利权)人: | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/46 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提出一种倒装发光二极管及其制造方法,包括:提供一衬底;形成外延结构于所述衬底上;形成图案化电流阻挡层于所述外延结构上;形成电流扩展层于所述外延结构上,并移除部分所述电流扩展层及外延结构,以暴露所述第二半导体层;移除部分所述电流扩展层及外延结构,形成隔离槽,以暴露所述衬底;形成图案化反射层于所述电流扩展层上;形成第一电极及第二电极于所述图案化反射层上,所述第一电极连接所述电流扩展层,所述第二电极连接暴露的所述第二半导体层;形成图案化钝化层于所述第一电极及第二电极上;形成第一焊盘电极及第二焊盘电极于所述图案化钝化层上,所述第一焊盘电极连接所述第一电极,所述第二焊盘电极连接所述第二电极。 | ||
搜索关键词: | 电流扩展层 外延结构 第二电极 第一电极 焊盘电极 衬底 倒装发光二极管 图案化钝化层 图案化反射层 半导体层 移除 暴露 电流阻挡层 隔离槽 图案化 制造 | ||
【主权项】:
1.一种倒装发光二极管的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底;形成外延结构于所述衬底上,所述外延结构包括第一半导体层及第二半导体层;形成图案化电流阻挡层于所述外延结构上;形成电流扩展层于所述外延结构上,并移除部分所述电流扩展层及外延结构,以暴露所述第二半导体层,其中,所述电流扩展层覆盖所述图案化电流阻挡层;移除部分所述电流扩展层及外延结构,形成隔离槽,以暴露所述衬底;形成图案化反射层于所述电流扩展层上;形成第一电极及第二电极于所述图案化反射层上,所述第一电极连接所述电流扩展层,所述第二电极连接暴露的所述第二半导体层;形成图案化钝化层于所述第一电极及第二电极上;形成第一焊盘电极及第二焊盘电极于所述图案化钝化层上,所述第一焊盘电极连接所述第一电极,所述第二焊盘电极连接所述第二电极。
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