[发明专利]半导体结构与连线结构的制作方法有效
| 申请号： | 201910535651.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN112018074B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟翰;王翊丞;陈冠智;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构与连线结构的制作方法，该半导体结构包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第一介电层中的第一金属层，其中第一金属层具有第一厚度，第一金属层包含铜。第三介电层具有第二厚度，第三介电层的第二厚度与第一金属层的第一厚度的比值介于约3与约20之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 连线 制作方法 | ||
【主权项】：
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