[发明专利]阵列基板的制备方法和制备系统在审

专利信息
申请号: 201910536649.8 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110349858A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 章仟益 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种阵列基板的制备方法,制备方法包括:提供基板;在基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对保护层图案化形成保护层图案;以保护层图案为掩模,对栅极层进行刻蚀形成栅极;以保护层图案为掩模,对有源层的第一区域进行导体化处理,第一区域为未被保护层图案在有源层上的投影覆盖的区域;以保护层图案为掩膜,对栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离保护层图案。本发明通过保护层图案为掩膜,透过栅绝缘层对有源层进行导体化工艺,使导体化位置更精准,同时用剥离的方式去除保护层图案,不会导致有源层的电阻率上升。
搜索关键词: 保护层 图案 源层 制备 导体化 第一区域 栅绝缘层 阵列基板 栅极层 基板 刻蚀 掩模 掩膜 绝缘层 栅绝缘层图案 剥离保护层 被保护层 层叠设置 投影覆盖 制备系统 电阻率 图案化 对栅 去除 剥离
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层,并对所述保护层图案化形成保护层图案;以所述保护层图案为掩模,对所述栅极层进行刻蚀形成栅极;以所述保护层图案为掩模,对所述有源层的第一区域进行导体化处理,所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域;以所述保护层图案为掩膜,对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案;剥离所述保护层图案。
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