[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910537547.8 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110265403B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;王秉国;李磊;李拓 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11521;H01L27/11578;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在沟道孔中形成第一多晶硅层之后，形成硅锗层，而后进一步形成第二多晶硅层。这样，就使得硅锗层形成于多晶硅层之间，硅锗层作为沟道可以提高在沟道载流子的迁移率，同时多晶硅层可以有效抑制硅锗层中锗原子的向外扩散，并使得硅锗层与两侧的介质材料具有更好的界面态，为器件提供更高的驱动电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔的侧壁上形成有存储功能层；在所述沟道孔的内壁上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成硅锗层；在所述硅锗层上形成第二多晶硅层；以介质材料填充所述沟道孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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