[发明专利]一种晶圆结构的制造方法

摘要

本申请提供一种晶圆结构的制造方法，在第一晶圆和第二晶圆键合后，可以从第一晶圆的第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，然后进行绝缘层的沉积，使硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔侧壁及底面上绝缘层的厚度，再进行绝缘层的各向异性刻蚀，直至去除硅通孔底面上的绝缘层，然后进行硅通孔的填充。硅通孔中的绝缘层对器件起到隔离和保护的作用，而硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔的侧壁及底面上的绝缘层的厚度，在后续去除硅通孔底面上的绝缘层的过程中，即使对硅通孔的开口拐角处的绝缘层有所损耗，其厚度也不会偏薄，从而提高了硅通孔中绝缘层的可靠性，减少硅通孔的形成工艺对器件良率及性能的影响。

主权项

1.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的正面键合至所述第二晶圆的正面，所述第一晶圆包括第一衬底以及第一衬底上的第一介质层以及所述第一介质层中的第一互连层，所述第二晶圆包括第二衬底以及第二衬底上的第二介质层以及所述第二介质层中的第二互连层；从所述第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，所述硅通孔包括所述第一互连层上的第一硅通孔和/或第二互连层上的第二硅通孔；进行绝缘层的沉积，所述硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于所述硅通孔侧壁及底面上绝缘层的厚度；进行所述绝缘层的各向异性刻蚀，直至去除所述硅通孔底面上的绝缘层；进行所述硅通孔的填充。