[发明专利]干蚀刻设备有效
| 申请号： | 201910537756.2 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110349828B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 钱浩 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05F3/00 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干蚀刻设备，该干蚀刻设备包括蚀刻腔体,第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，第一电极和第二电极相对设置、且位于蚀刻腔体内，第一电极设置有凸起图案，基板放置在所述凸起图案的支撑面上，蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻，防静电构件，该防静电构件用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累；基于防静电构件，本发明提供的干蚀刻设备缓解了蚀刻膜层时基板上静电的积累，避免了静电释放导致的显示面板损坏，缓解了现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题，提高了显示面板的制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：蚀刻腔体；第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，所述第一电极和第二电极相对设置、且位于所述蚀刻腔体内；所述第一电极设置有凸起图案，所述基板放置在所述凸起图案的支撑面上；蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻；防静电构件，用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累。
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