[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910537994.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110350029B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 100195 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法包括：在衬底上形成碳纳米管；在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；形成覆盖所述栅叠层结构的侧壁的侧墙；形成覆盖所述碳纳米管与所述侧墙的金属层，部分位于所述碳纳米管上的所述金属层作为与所述碳纳米管接触的电接触；以及去除所述金属层的一部分以暴露至少部分所述侧墙，其中，去除所述金属层的步骤包括：将所述金属层的部分转变成牺牲层，以及将所述牺牲层去除。该制造方法通过将金属层的部分转变成牺牲层，再将牺牲层去除的方法，去除了位于侧墙上的金属层，从而形成了源漏接触结构，使之能够有效地与碳纳米管产生良好的浸润性和接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成碳纳米管；在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；形成覆盖所述栅叠层结构的侧壁的侧墙；形成覆盖所述碳纳米管与所述侧墙的金属层，部分位于所述碳纳米管上的所述金属层作为与所述碳纳米管接触的电接触；以及去除所述金属层的一部分以暴露至少部分所述侧墙，其中，去除所述金属层的步骤包括：将所述金属层的部分转变成牺牲层，以及将所述牺牲层去除。
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