[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201910538953.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110660866A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 菅原祐太;道中悟志;野寺伸武;松本隆夫 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34;H01L21/428 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及氧化物半导体层，是设置在栅极绝缘层且具有结晶硅区域的氧化物半导体层，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在氧化物半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性与所述第一区域及所述第二区域的结晶性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 第二区域 第一区域 沟道区域 氧化物半导体层 栅极绝缘层 结晶硅区域 电连接 结晶性 薄膜晶体管 保护绝缘层 方式配置 基板支撑 基板 漏极 源极 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，/n所述薄膜晶体管包括：/n基板；/n栅极，被所述基板支撑；/n栅极绝缘层，覆盖所述栅极；以及/n氧化物半导体层，是设置在所述栅极绝缘层上，具有结晶区域的氧化物半导体层，所述结晶区域包括第一区域、第二区域和位于所述第一区域及所述第二区域之间的沟道区域，所述沟道区域、所述第一区域及所述第二区域经由所述栅极绝缘层与所述栅极重叠；/n保护绝缘层，以覆盖所述沟道区域，且露出所述第一区域及所述第二区域的方式配置在所述氧化物半导体层上；/n源极，与所述第一区域电连接；/n漏极，与所述第二区域电连接，/n所述沟道区域的结晶性与所述第一区域及所述第二区域的结晶性不同。/n
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