[发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910540101.0 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931632A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 金禹珍;韩慎熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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